他是西安電子科技大學教授

他從一名電工成長為中科院院士

他是我國第三代半導體領域的開拓者和引領者

今年6月份，由西安電子科技大學牽頭完成的“高能效超寬帶氮化鎵射頻功率放大器關鍵技術及在5G通信產業化應用”榮獲國家科技進步一等獎，這個項目突破了卡脖子難題，支撐了我國在5G移動通信領域的國際領先地位。

氮化鎵微波功率器件是5G移動通訊基站、相控陣雷達、空間衛星通訊系統的核心器件。所用的氮化鎵是寬禁帶半導體材料，也就是第三代半導體材料，具有高能效、超帶寬等特性，是常見的半導體材料硅無法做到的。

郝躍與半導體的不解之緣源于少年時代。1958年，郝躍出生在重慶，從小就是無線電發燒友。  

1977年10月，身處云南西雙版納的郝躍，是地質隊里的一名電工，當從廣播上聽到恢復高考的消息時，他意識到這將是他一生中難得的機遇。

白天上工，晚上復習，最終，郝躍以優異的成績，成為了恢復高考后眾多追夢人中的佼佼者。

郝躍選擇了半導體物理與器件專業，大學畢業后，留校任教，繼續深耕半導體，既為了圓少年時的夢想，更有立志報國的雄心。

上世紀90年代中后期，郝躍帶領研究團隊作出一個大膽決定，選擇了在國際上剛剛起步的寬禁帶半導體材料氮化鎵作為攻關方向。

研制半導體，設備是關鍵。郝躍帶領團隊從零開始，自力更生，2003自主研制成功國內第一臺氮化物半導體的外延生長設備，獲得了國家技術發明二等獎。

經過20多年持之以恒的努力，在當時別人看來還是“冷門”的研究領域，郝躍帶領團隊打通了從設備、材料、器件、電路到應用的技術體系，最終應用于國民經濟和國防建設。  

高新技術競爭的核心是人才。郝躍重視青年科研人才的培養和梯隊建設，將自己獲得的2019年度陜西省最高科學技術獎獎金200萬元，全部拿出來，設立“芯緣科創基金”，鼓勵從0到1突破，激勵青年人才科研創新。

創新腳步永不停歇，郝躍和他的團隊在寬禁帶半導體領域的專利數量位居前列，推動了我國寬禁帶半導體從核心設備、材料到器件的重大創新，引領了我國氮化物第三代半導體電子器件步入國際先進行列。   

回首四十多年的科研經歷，郝躍在科技創新，高水平科技自立自強的征途中，積累了寶貴的智慧和經驗。