近日，西安電子科技大學郝躍院士團隊在超寬禁帶半導體氧化鎵功率器件研究方面取得重要進展，研制出一種新型的空穴超注入p-NiO/n-Ga2O3半導體異質結二極管。該結構通過異質結空穴超注入效應，實現了兼具超高耐壓和極低導通電阻的氧化鎵功率二極管，功率優值高達13.2GW/cm2，是截至目前氧化鎵半導體器件的最高值。相關成果發表于國際期刊《自然-通訊》（Nature Communications）。

氧化鎵是超寬禁帶半導體的典型代表，是研制高耐壓、大功率和高效節能半導體器件的理想半導體材料之一，可實現高擊穿、低功耗和低成本器件芯片三重優勢，在電力傳輸轉換、電動汽車、高鐵等領域具有重大應用前景。與當前產業界火熱的第三代半導體，氧化鎵功率器件在相同耐壓情況下具有更低的導通電阻，應用于電能轉換領域將實現更低的功耗和更高的轉換效率。因此，近年來，氧化鎵半導體已成為半導體國際研究熱點和大國技術競爭制高點。該校郝躍院士團隊研究成果在氧化鎵器件中實現了空穴超注入效應，研制的氧化鎵功率二極管擁有超高耐壓和極低電阻，是截至目前氧化鎵半導體器件的最高值。

2018年以來，在郝躍院士的帶領下，該校通過自主氧化鎵生長MOCVD設備、高質量氧化鎵外延材料、高壓器件新結構與新工藝等一系列技術創新，實現了氧化鎵功率二極管和功率晶體管性能的高速提升，取得了多項里程碑成果，使中國氧化鎵功率器件研究水平進入國際前列。